SI8481DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
RoHS-Status
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Technische Daten für SI8481DB-T1-E1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI8481DB-T1-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Serie :
TrenchFET® Gen III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Paket / fall :
4-UFBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI8481DB-T1-E1
Datenblätter :
SI8481DB-T1-E1.pdf
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