DMT6009LFG-13 - MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

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MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
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Technische Daten für DMT6009LFG-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT6009LFG-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMT6009LFG-13

Datenblätter : DMT6009LFG-13.pdf

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