DMT6009LFG-13 - MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
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MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
RoHS-Status
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Technische Daten für DMT6009LFG-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMT6009LFG-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1925pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMT6009LFG-13
Datenblätter :
DMT6009LFG-13.pdf
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