IPI06CN10N G - MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IPI06CN10N G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPI06CN10N G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPI06CN10N G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9200pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPI06CN10N G
Datenblätter : IPI06CN10N G.pdf
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