IXGM17N100A - POWER MOSFET TO-3

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POWER MOSFET TO-3
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Technische Daten für IXGM17N100A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXGM17N100A
Hersteller : IXYS
Beschreibung : POWER MOSFET TO-3
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 34A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 68A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 4V @ 15V, 17A
Leistung max : 150W
Energie wechseln : 3mJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 100ns/500ns
Testbedingung : 800V, 17A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 200ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-204AE
Supplier Device Package : TO-204AE
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXGM17N100A

Datenblätter : IXGM17N100A.pdf

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