NSVBAS16TT1G - DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NSVBAS16TT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSVBAS16TT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 6ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-75, SOT-416
Supplier Device Package : SC-75, SOT-416
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NSVB , NSVBAS

Dokumente für NSVBAS16TT1G

Datenblätter : NSVBAS16TT1G.pdf

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