IPI60R165CPAKSA1 - MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Hersteller Teilenummer

IPI60R165CPAKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPI60R165CPAKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

174175 Pieces

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Technische Daten für IPI60R165CPAKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI60R165CPAKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 790µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 192W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI60 , IPI60R16

Dokumente für IPI60R165CPAKSA1

Datenblätter : IPI60R165CPAKSA1.pdf

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