BYC8B-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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Technische Daten für BYC8B-600PJ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYC8B-600PJ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.4V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 18ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D2PAK
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BYC , BYC8B

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Datenblätter : BYC8B-600PJ.pdf

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