NTP8G202NG - MOSFET N-CH 600V 9A TO220

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MOSFET N-CH 600V 9A TO220
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Technische Daten für NTP8G202NG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTP8G202NG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTP8G202NG

Datenblätter : NTP8G202NG.pdf

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