SI5475BDC-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI5475BDC-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI5475BDC-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI5475BDC-T1-E3
Datenblätter :
SI5475BDC-T1-E3.pdf
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