IRF7341GTRPBF - MOSFET N-CH 55V 5.1A
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5.1A
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRF7341GTRPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7341GTRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 5.1A
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V
Leistung max : 2.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF7341GTRPBF
Datenblätter : IRF7341GTRPBF.pdf
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