IXFX360N10T - MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFX360N10T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFX360N10T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFX360N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Serie : GigaMOS™ HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 360A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 525nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 33000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFX360N10T
Datenblätter : IXFX360N10T.pdf
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