SI2311DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI2311DS-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI2311DS-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 710mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI2311DS-T1-E3
Datenblätter : SI2311DS-T1-E3.pdf
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