DMNH10H028SK3Q-13 - MOSFET N-CH 100V 55A TO252
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
495550 Pieces
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Technische Daten für DMNH10H028SK3Q-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMNH10H028SK3Q-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2245pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMNH10H028SK3Q-13
Datenblätter :
DMNH10H028SK3Q-13.pdf
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