S3MHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-S3MHE3_A/I
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2478300 Pieces
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Technische Daten für S3MHE3_A/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : S3MHE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für S3MHE3_A/I
Datenblätter : S3MHE3_A/I.pdf
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