1SS193,LF - DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1SS193,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1SS193,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : S-Mini
Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 1SS , 1SS1

Dokumente für 1SS193,LF

Datenblätter : 1SS193,LF.pdf

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