RD3H080SPFRATL - RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
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RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
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Technische Daten für RD3H080SPFRATL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RD3H080SPFRATL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 15W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RD3H080SPFRATL
Datenblätter : RD3H080SPFRATL.pdf
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