IXTT3N200P3HV - 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

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Hersteller
Kurze Beschreibung
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IXTT3N200P3HV

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTT3N200P3HV
Hersteller : IXYS
Beschreibung : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1860pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTT3N200P3HV

Datenblätter : IXTT3N200P3HV.pdf

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