GP1M009A090N - MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Hersteller Teilenummer

GP1M009A090N

Interne Teilenummer

AX-GP1M009A090N

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21136 Pieces

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Technische Daten für GP1M009A090N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GP1M009A090N

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2324pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 312W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3PN

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für GP1M009A090N

Datenblätter : GP1M009A090N.pdf

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