NVMFD5877NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NVMFD5877NLT1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVMFD5877NLT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Leistung max : 3.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NVMFD5877NLT1G
Datenblätter : NVMFD5877NLT1G.pdf
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