NVMFD5877NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NVMFD5877NLT1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NVMFD5877NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
Leistung max :
3.2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NVMFD5877NLT1G
Datenblätter :
NVMFD5877NLT1G.pdf
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