HTMN5130SSD-13 - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
RoHS-Status
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Technische Daten für HTMN5130SSD-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HTMN5130SSD-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 218.7pF @ 25V
Leistung max : 1.7W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HTMN5130SSD-13
Datenblätter : HTMN5130SSD-13.pdf
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