IRF6798MTRPBF - MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IRF6798MTRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF6798MTRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
37A (Ta), 197A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6560pF @ 13V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MX
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MX
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF6798MTRPBF
Datenblätter :
IRF6798MTRPBF.pdf
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