A2T18S261W12NR3 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller Teilenummer

A2T18S261W12NR3

Interne Teilenummer

AX-A2T18S261W12NR3

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

11048 Pieces

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Technische Daten für A2T18S261W12NR3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : A2T18S261W12NR3

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : LDMOS

Frequenz : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinnen : 18.2dB

Spannungs - Test : 28V

Aktuelle Bewertung : 10µA

Rauschzahl : -

Aktueller Test : 1.5A

Leistung : 280W

Spannung - bewertet : 65V

Paket / fall : OM-880X-2L2L

Supplier Device Package : OM-880X-2L2L

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : A2T18 , A2T18S2

Dokumente für A2T18S261W12NR3

Datenblätter : A2T18S261W12NR3.pdf

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