DMN3190LDW-7 - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMN3190LDW-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für DMN3190LDW-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN3190LDW-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V
Leistung max : 320mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN3190LDW-7
Datenblätter : DMN3190LDW-7.pdf
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