SI7100DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
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MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
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Technische Daten für SI7100DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI7100DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3810pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI7100DN-T1-GE3
Datenblätter : SI7100DN-T1-GE3.pdf
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