SI7964DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI7964DP-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI7964DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI7964DP-T1-GE3
Datenblätter :
SI7964DP-T1-GE3.pdf
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