IPB019N06L3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPB019N06L3GATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPB019N06L3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 196µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
166nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
28000pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPB019N06L3GATMA1
Datenblätter :
IPB019N06L3GATMA1.pdf
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