STD11N65M2 - MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

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MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STD11N65M2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD11N65M2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Serie : MDmesh™ II Plus
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STD11N65M2

Datenblätter : STD11N65M2.pdf

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