CUHS20S30,H3F - SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CUHS20S30,H3F
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CUHS20S30,H3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 410mV @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F : 390pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 2-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : US2H
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CUHS20S30,H3F
Datenblätter : CUHS20S30,H3F.pdf
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