SCT10N120 - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Hersteller Teilenummer

SCT10N120

Interne Teilenummer

AX-SCT10N120

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

45312 Pieces

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Technische Daten für SCT10N120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SCT10N120

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 690 mOhm @ 6A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 200°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : HiP247™

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SCT , SCT1

Dokumente für SCT10N120

Datenblätter : SCT10N120.pdf

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