IPC100N04S5L2R6ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPC100N04S5L2R6ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPC100N04S5L2R6ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2925pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8-34
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IPC100N04S5L2R6ATMA1

Datenblätter : IPC100N04S5L2R6ATMA1.pdf

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