TPC6012(TE85L,F,M) - MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Hersteller Teilenummer

TPC6012(TE85L,F,M)

Interne Teilenummer

AX-TPC6012(TE85L,F,M)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6A VS6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12808 Pieces

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Technische Daten für TPC6012(TE85L,F,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPC6012(TE85L,F,M)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Serie : U-MOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : VS-6 (2.9x2.8)

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPC6012(TE85L,F,M)

Datenblätter : TPC6012(TE85L,F,M).pdf

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