GA50JT06-258 - TRANS SJT 600V 100A

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 600V 100A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9060 Pieces
Referenzpreis
USD 395.8416
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Technische Daten für GA50JT06-258

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GA50JT06-258
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 600V 100A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 769W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-258
Paket / fall : TO-258-3, TO-258AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : GA50 , GA50JT

Dokumente für GA50JT06-258

Datenblätter : GA50JT06-258.pdf

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