IRF6636TR1PBF - MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
51162 Pieces
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Technische Daten für IRF6636TR1PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF6636TR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 81A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2420pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ ST
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric ST
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF6636TR1PBF
Datenblätter :
IRF6636TR1PBF.pdf
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