HS2J M4G - DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller Teilenummer

HS2J M4G

Interne Teilenummer

AX-HS2J M4G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3842920 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.073008~~

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Technische Daten für HS2J M4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HS2J M4G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 2A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 75ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AA, SMB

Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HS , HS2J

Dokumente für HS2J M4G

Datenblätter : HS2J M4G.pdf

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