FDFMA2P029Z - MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDFMA2P029Z
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1582155 Pieces
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Technische Daten für FDFMA2P029Z
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDFMA2P029Z
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.4W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDFMA2P029Z
Datenblätter :
FDFMA2P029Z.pdf
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