FDFMA2P029Z - MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDFMA2P029Z
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDFMA2P029Z
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDFMA2P029Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.4W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-MicroFET (2x2)
Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDFMA2P029Z
Datenblätter : FDFMA2P029Z.pdf
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