FDMS86500L - MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN

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MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
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Technische Daten für FDMS86500L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMS86500L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12530pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDM , FDMS8

Dokumente für FDMS86500L

Datenblätter : FDMS86500L.pdf

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