BLF8G10LS-160,112 - RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
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Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BLF8G10LS-160,112
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BLF8G10LS-160,112
Hersteller : Ampleon USA Inc.
Beschreibung : RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 920MHz ~ 960MHz
Gewinnen : 19.7dB
Spannungs - Test : 30V
Aktuelle Bewertung : -
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 1.1A
Leistung : 35W
Spannung - bewertet : 65V
Paket / fall : SOT-502B
Supplier Device Package : SOT502B
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BLF8G10LS-160,112
Datenblätter : BLF8G10LS-160,112.pdf
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