ALD212908APAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
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MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
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Technische Daten für ALD212908APAL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ALD212908APAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 8-PDIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ALD212908APAL
Datenblätter : ALD212908APAL.pdf
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