SPP80P06PHXKSA1 - MOSFET P-CH 60V 80A TO-220

Hersteller Teilenummer

SPP80P06PHXKSA1

Interne Teilenummer

AX-SPP80P06PHXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

130610 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.148~~

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Technische Daten für SPP80P06PHXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SPP80P06PHXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 80A TO-220

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 173nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5033pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 340W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-3-1

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SPP80 , SPP80P0

Dokumente für SPP80P06PHXKSA1

Datenblätter : SPP80P06PHXKSA1.pdf

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