SPD03N50C3ATMA1 - MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SPD03N50C3ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPD03N50C3ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 135µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3-1
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SPD03N50C3ATMA1
Datenblätter : SPD03N50C3ATMA1.pdf
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