IPB023N06N3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
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Technische Daten für IPB023N06N3GATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB023N06N3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 140A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 141µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-7
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPB02 , IPB023N0

Dokumente für IPB023N06N3GATMA1

Datenblätter : IPB023N06N3GATMA1.pdf

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