NVMSD6N303R2G - MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

NVMSD6N303R2G

Interne Teilenummer

AX-NVMSD6N303R2G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

15256 Pieces

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Technische Daten für NVMSD6N303R2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVMSD6N303R2G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NVMS , NVMSD6

Dokumente für NVMSD6N303R2G

Datenblätter : NVMSD6N303R2G.pdf

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