FDB0260N1007L - MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Hersteller Teilenummer

FDB0260N1007L

Interne Teilenummer

AX-FDB0260N1007L

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

119605 Pieces

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Technische Daten für FDB0260N1007L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB0260N1007L

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8545pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDB0 , FDB026

Dokumente für FDB0260N1007L

Datenblätter : FDB0260N1007L.pdf

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