SQJ411EP-T1_GE3 - MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller Teilenummer

SQJ411EP-T1_GE3

Interne Teilenummer

AX-SQJ411EP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SQJ411EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ411EP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9100pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SQJ411EP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ411EP-T1_GE3.pdf

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