APTGT75H60T1G - POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
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Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTGT75H60T1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTGT75H60T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTGT75H60T1G
Datenblätter : APTGT75H60T1G.pdf
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