STI11NM80 - MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STI11NM80
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
110095 Pieces
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Technische Daten für STI11NM80
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STI11NM80
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Serie : MDmesh™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STI11NM80
Datenblätter : STI11NM80.pdf
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