TK10J80E,S1E - MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Hersteller Teilenummer

TK10J80E,S1E

Interne Teilenummer

AX-TK10J80E,S1E

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V TO-3PN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

188060 Pieces

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Technische Daten für TK10J80E,S1E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK10J80E,S1E

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Serie : π-MOSVIII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3P(N)

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK10J80E,S1E

Datenblätter : TK10J80E,S1E.pdf

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