NJVMJD112T4G - TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NJVMJD112T4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NJVMJD112T4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V
Leistung max : 20W
Frequenz - Übergang : 25MHz
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NJVMJD112T4G

Datenblätter : NJVMJD112T4G.pdf

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