SIDR140DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Hersteller Teilenummer

SIDR140DP-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIDR140DP-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIDR140DP-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIDR140DP-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 79A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.67 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8150pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8DC

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIDR1 , SIDR140D

Dokumente für SIDR140DP-T1-GE3

Datenblätter : SIDR140DP-T1-GE3.pdf

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