IXTH2N300P3HV - MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IXTH2N300P3HV
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTH2N300P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
3000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1890pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
520W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247HV
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTH2N300P3HV
Datenblätter :
IXTH2N300P3HV.pdf
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